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逆变H桥IGBT单管驱动+保护详解 这几天沉下心来专门给逆变器的后级，也就是大家熟悉的H桥电路换上了 IGBT管子 用来深入了解相关的特性。 大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的 MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT 上去，可能开机带载就炸了。这一点很多人估计都深有体会。当时我看到做鱼机的哥们用 FGH25N120AND这个，反映很容易就烧了，当时不以为然。 只到我在工作中遇到，一定要使用IGBT的时候，我才发现我错了，当初我非常天真 的认为，一个 IRFP460,20A/500V 的 MOSFET，我用个 SGH40N60UFD40A/600V 的 IGBT上去怎么样也不会炸的吧，实际情况却是，带载之后，突然加负载和撤销负载，几次 下来就炸了，我以为是电路没有焊接好，然后同样的换上去，照样炸掉，这样白白浪费了好 多 IGBT。 后来发现一些规律，就是采用峰值电流保护的措施就能让IGBT不会炸，下面我就会 将这些东西一起详细的说一说，说的不好请大家见谅，这个帖子会慢慢更新，也希望高手们 多多提出意见。 我们将这个问题看出几个部分来解决： 1,驱动电路； 2,电流采集电流； 3,保护机制； 一、驱动电路 这次采用的IGBT为IXYS的，IXGH48N60B3D1，详细规格书如下： IXGH48N60B3D1 驱动电路如下： 这是一个非常典型的应用电路，完全可以用于IGBT或者MOSFET，但是也有些不一样的 地方。 1,有负压产生电路， 2,隔离驱动， 3,单独电源供电。 首先我们来总体看看，这个电路没有保护，用在逆变上100%炸，但是我们可以将这 个电路的实质摸清楚。 先讲讲重点： 1：驱动电阻R2,这个在驱动里头非常重要，图上还有D1配合关闭的时候，让IGBT 的CGE快速的放电，实际上看需要，这个D1也可以不要，也可以在D1回路里头串联一 个电阻做0FF关闭时候的栅极电阻。 下面发几个波形照片，不同的栅极电阻，和高压HV+400V共同产生作用的时候，上 下2个IGBT栅极的实际情况。 R I IJUL ST UF 1^1 1 /弓 于 0 ■ 8yU ：PM⑴=100.0us Freq(l) = 19.00kHz 」_ CHI= 5.U0U ［明酒 5.09U Time 500-0ns ^9.S52ms Fl I IJIJL H T U P I 于 fl o ■ U PI U 上面的图，是在取消负压的时候，上下2管之间的栅极波形，栅极电阻都是在10R情况下。 上面的图是在不加DC400V情况下测量2管G极波形，下图是在DC400V情况下， 2管的栅极波形。 为何第二个图会有一个尖峰呢。这个要从IGBT的内部情况说起，简单来说，IGBT 的GE上有一个寄生的电容，它和另外的CGC 一个寄生电容共同组成一个水池子，那就是 QG，其实这个和MOSFET也很像的。 那么在来看看为何400V加上去，就会在下管上的G级上产生尖峰。借花献佛，抓个 图片来说明: +HVDCJ#博 *。1打之亡 kflreiistor. If Ths voltage,小 pa +HVDC J#博 *。1打之亡 kfl This parasitic turned on. 如上图所示，当上官开通的时候，此时是截止的，由于上官开通的时候，这个时候要 引入DV/DT的概念，这个比较抽象，先不管它，简单通俗的说就是上管开通的时候，上管 等效为直通了，+DC400V电压立马加入到下管的C级上，这么高的电压立刻从IGBT的 寄生电容上通过产生一个感应电流，这个感应电流上图有公式计算，这个电流在RG电阻和 驱动内阻的共同作用下，在下管的栅极上构成一个尖峰电压，如上面那个示波器的截图所示。 到目前为止，没有引入米勒电容的概念，理解了这些，然后对着规格书一看，米勒电容是什 么，对电路有何影响，就容易理解多了。