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本发明提供了一种高集成度低损耗的光子卷积计算单元,包括:衬底,以及在衬底上沉积的包覆层;在所述包覆层内沉积侧波导和光子晶体纳米梁;其中,在所述侧波导与所述光子晶体纳米梁的耦合区域,所述侧波导偏离所述光子晶体纳米梁的一侧沉积一凸出部,使所述侧波导形成T型波导。本发明在侧波导与光子晶体纳米梁耦合区域,侧波导偏离光子晶体纳米梁的一侧沉积一凸出部,使侧波导形成T型波导提供离散态,从而实现Fano共振线形谱线,可以有效降低光子卷积计算芯片的损耗,实现低损耗卷积池。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116559999 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310372760.4 G06N 3/067 (2006.01) (22)申请日 2023.04.
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