SJ_T 1839-2016半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范.pdf

ICS 31.080.30L42SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T1839—2016代替SJ1839-1981半导体分立器件3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specification for silicon NPN low power switching transistortype 3DK1082016-09-01实施2016-04-05发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 1839—2016前言本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本规范代替SJ/T1839—1981。与SJ/T1839—1981相比，本规范主要技术变化如下：一本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。一原标准开关参数ts（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规范中合并为tof（关断时间），即tof=ts+tfo请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司本规范主要起草人：赵滨宋凤领吕瑞芹。本规范于1981年首次发布，本次为第一次修订。I SJ/T1839—2016引言本规范适用于3DK108型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。INRORMATIONANDMIAISTECHNOLOGYV1SRDDII SJ/T1839—2016半导体分立器件3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分：SJ/T1839-2016分立器件和集成电路总规范》GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范外形尺寸2简略说明外形符合GB/T7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》开关用双极型晶体管中A3-02C型的规定。半导体材料：硅ODa金属封装(空腔)应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡用。3质量评定类别IⅡI类45@p0.30mx参考数据（T=25℃）=po.35mxmPtot=1000mWODIc=1000mAVcBo=40V(3DK108A、C)VcB0=60V(3DK108B、D)VcE0=30V (3DK108A、C)VcEo=45V (3DK108B、D)@bl3VEBO=4V062f≥200MHhFE:25~180HE1.发射极2.基极3.集电极单位为毫米尺寸数值符号最大最小标称A6. 709.905. 08dadb1. 010. 51db0. 40OD8. 649.39OD8. 018.500. 710. 790. 87jK0. 741. 14L12.525. 01. 27Li SJ/范性引用文件4下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范半导体分立器件外形尺寸GB/T7581—1987立器件分规范GB/T12560—1999半导体器件ANFORMATIONDUSTRY5极限值（绝对最大额定值）这些极限值在整个工作温度范围内适用极限值见表1。除柔正N表88极限值TE数O章条号符号单位小值FCHNOLOGY4. 1工作环℃CTa℃4.2贮存温PX枫集4. 3最大集V直流电用3DK108S3DK108B3DK108C3DK108D发射极置流电压4. 4最大集电极-VVCEO303DK108ACSARD453DK108BTA303DK108CND453DK108D4. 5最大发射极-基极直流电压4Va4.6最大直流集电极电流IamA10004.7PotT=25℃，不加散热片时的最大额定功率1000mW4.8最高结温Tin175℃6电特性电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。2 SJ/T 1839—2016表2电特性特性和条件数值章条号符号除非另有规定，Tm=25