SJ_T 11705-2018微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法.pdf

ICS 31. 200L 55备案号：SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 117052018微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法Ground and power supply impedance test method for microelectronics devicepackages2018-02-09 发布2018-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 湘 SJ/T11705—2018前言本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC78/SC2）归口。本标准主要起草单位：中国电子技术标准化研究院、航天电子科技集团公司第七七二研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所。清华大林建家ND君INMFO本标准主要起草人：安琪、RMATIONMRO本标准为首次发布TECHNOLOGYV7S1D福 福 SJ/T11705—2018微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法1.范围本标准规定了复杂、宽频带微电子器件用封装的地和电源引出端的串联阻抗测试方法。本标准适用于评估和比较不同封装之间性能的差异，并可用于预测封装对电源噪声和地噪声引入程度的影响。2规范性引用文件下列文件对于木文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版木适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GJB548微电子器件试验方法和程序3术语和定义及符号下列术语和定义及符号适用于本文件。3.1术语和定义3.1.1地串联阻抗series ground impedance固定频率下，半导体芯片界面和外部封装界面之间所有地线导体路径所呈现的感抗和电阻的串联组合。3.1.2电源串联阻抗seriespowersupplyimpedance固定频率下，半导体芯片界面和外部封装界面之间所有电源线导体路径所呈现的感抗和电阻的串联组合。3.2符号封装中地线的串联电感，单位为亨利（H）。LG封装中电源线的串联电感，单位为亨利（H）。LpXG封装中地线的串联感抗，单位为欧姆（2）。Xp封装中电源线的串联感抗，单位为欧姆（Q）。f测试频率，单位为赫兹（Hz）。f主要部件的数字脉冲转换频率，单位为赫兹（Hz）。规定的噪声脉冲宽度相关频率，单位为赫兹（Hz）。frp封装中地线的串联电阻，单位为欧姆（2）。RGRp封装中电源线的串联电阻，单位为欧姆（2）。ZG封装中地线的串联阻抗，单位为欧姆（Q）。1 SJ/T11705—2018封装中电源线的串联阻抗，单位为欧姆（）Zp -规定的输入高电平电压（V）或输入低电平电压（V）下的最小噪声脉冲宽度，单位为tpmin秒（s）。逻辑系统的转换时间，单位为秒（s）。t4 一般要求4.1测试环境除另有规定外，测试环境（温度、气压等）应符合GJB548的相关规定。4.2设备INFCND用于地串联阻抗和电源串联阻抗测试的设备应包含合适的频电感测试仪和毫欧计：射频电感测试仪（或频LCR测试仪）：应具有串联电感的交流测试功能，并满足在测试频率a)（包含测试夹具引入的误差）。对11000nH电感范围的测量准确度为±5%100 kHz下LR测试仪）：应能使用四探针法进行覆盖10mQ10Q测量范围的电阻测试，且b)毫欧计D1测量准确度为的误差）。TECHNOLL5 特性测试O地串联阻5. 1日：目的5. 1. 1器件封装地线的电联坊测试微电子LO测试程5. 1. 2按以下程序测试线的串联阻抗：，测试封装外部引出端与芯片地电路引出区域之间的地线串联电感（LG）；使用电感测试仅器，a)按公式（1计算地线串联感抗：b).RB.(1)XG= 2元f LG地线的串联电阻RG。使用毫欧计，测量同一c)金5.1.3阻抗计算按公式（2）计算地线的串联阻抗：Zc =Rc?+X?(2)5.2电源串联阻抗5.2.1目的测试微电子器件封装电源线的串联阻抗。5.2.2测试程序按以下程序测试电源线的串联阻抗：2 SJ/T11705—2018使用电感测试仪器，测试封装外部引出端与芯片电源电路引出区域之间的电源线串联电感a)(Lp) ;按公式（3）计算电源线串联感抗：b)(3)Xp= 2元f Lp使用毫欧计，测量同一电源线的串联电阻RP。c)5.2.3阻抗计算按公式（4）计算电源线的串联阻抗：Z,= /Rp*+X,2(4)5.3注意事项地串联阻抗（ZG）和电源串联阻抗（Zp）测试应对封装使用的所有地和电源的标准配置进行。测试应按5.1和5.2的规定进行。应进行周详的设计和测试装置调试，以实现对串联阻抗的精确测试，并使误差最小化。由于被测的电感和电阻值一般较小