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本发明提出了一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体，n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体之间具有电子有效质量梯度、热膨胀系数梯度和弹性系数梯度。热膨胀系数梯度和弹性系数梯度能够抑制量子限制Stark效应，降低空穴注入带阶，提升空穴注入效率，提升量子阱中电子空穴复合效率和紫光紫外发光二极管的外量子效率。电子有效质量梯度和热膨胀系数梯度组合能够进一步提升电子空穴的量子局域效应，抑制电子空穴被缺陷俘获几率，并降低量子阱中的电子空穴浓度
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116526296 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310425161.4 (22)申请日 2023.04.20 (71)申请人 安徽格恩半导体有限公司 地址 2
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