YS_T 840-2012再生硅料分类和技术条件.pdf

ICS 77. 150. 99YSH 68中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 840-—2012再生硅料分类和技术条件Classification and technical specification for renewable crystal silicon2012-11-07 发布2013-03-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 中华人民共和国有色金属行业标准再生硅料分类和技术条件YS/T 840--2012*中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号（100013)北京市西城区三里河北街16号（100045）网址 www. spc. net. cn总编室：（010行中心：（010者服务部：（010国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销*开本 880×12301/16印张 0.5字数 ８ 千字2013年1月第一版2013年1月第一次印刷书号：155066·2-24295如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话：（010 YS/T 840--2012前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)归口。本标准起草单位：西安隆基硅材料股份有限公司本标准主要起草人：李振国、钟宝申、赵可武、张群社。本标准系首次发布。T YS/T 840--2012再生硅料分类和技术条件1 范围本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货单等。本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料，来源包括用于生产太阳能级硅晶体的除过碳的碳极多晶硅（碳头料）、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率测定方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 14264半导体材料术语GB/T 24574硅单晶中IⅢI-V族杂质的光致发光测试方法GB/T 24579酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物GB/T 24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法GB/T 24582酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质SEMI PV1用高分辨率辉光放电光谱测定法测定太阳能级硅中的痕量元素3术语和定义GB/T14264 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3. 1碳极多晶硅（碳头料）carbon ends polysilicon在多晶硅生产过程中，包围在U型多晶硅棒的碳极周围,沾连有石墨的不规则形状多晶硅料。3. 2单晶硅头尾料monocrystalline top and tail在拉制单晶硅棒过程中形成的头尾圆锥体。也包括拉制单晶失败产生的多晶硅棒和位错单晶。3.3埚底料 pot scrap在拉制单晶硅棒的过程中，残留在石英埚中的硅料。3.4晶体硅样块 test silicon material在晶体硅棒的检测和评估中作为测试用的样块。3.5原生型废硅片broken wafer在硅棒切割、研磨或抛光过程中产生的不合格硅片。1 YS/T 840--20124　要求4.1技术条件及分类时满足本档的要求，若某项指标超出标准，则降为下一档。按电阻率分，各档不同导电类型的相关参数应符合表1的规定；按杂质浓度分，各档的相关参数应符合表2的规定。表1电阻率范围/(α·cm)导电类型一档二档三档n型402~401~2p型101~100.35~~1表 2 项目一档二档三档受主杂质浓度/ppba≤20008≤1 000施主杂质浓度/ppba209≤100s02碳浓度/ppmaΛ4金属杂质(Ti,Cr,Fe,Ni,Cu,≤100≤200Zn,Mo)总含量/ppba4.2尺寸范围再生硅料的线性尺寸不小于3mm。4.3外观特征再生硅料的外观应无色斑、氧化层以及其他的污染物等。5 测试方法5.1再生硅料中碳浓度测量按照GB/T1558的规定进行。5.2 再生硅料中Ⅲ 、V族杂质含量按照 GB/T 24574 或 GB/T 24581、SEMI PV1、GB/T 24579、SIMS测试。5.3再生硅料中的金属杂质含量按照SEMIPV1或GB/T24579、GB/T 24582、SIMS测试。5.4再生硅料的尺寸分布范围用筛网检验，或由供需双方商定的方法检验。5.5再生硅料的表面质量用目视或放大镜检查。5.6再生硅料的导电类型测试方法