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HfO2Al薄膜Al组分对结构和电学性质的影响.doc

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    摘要 PAGE PAGE II PAGE PAGE I HfO2:Al薄膜Al组分对结构和电学性质的影响 摘 要 随着半导体工艺技术的不断改进与发展，传统MOS器件绝缘栅氧化层SiO2已经不能再满足新型半导体器件的需求，这就需要研究新型栅介质材料。HfO2作为一种铁电氧化物材料，具有高介电常数、热稳定性好、与传统半导体工艺兼容等优异特性而备受广泛关注。本文利用脉冲激光沉积（PLD）技术制备了系列HfO2:Al薄膜，利用X射线衍射、四探针等技术系统地研究了Al组分对HfO2:Al薄膜结构和电学性质的影响，为构建和研究新型低功耗场效应晶体管提供参考。 关键词：HfO2薄

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