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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法、控制方法。所述存储器包括：衬底，所述衬底内具有呈阵列排布的多个有源区和多条沿第一方向延伸的字线，所述有源区相对于所述字线倾斜预设角度，所述有源区内具有至少一存取晶体管；多条位线，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；磁性隧道结，一端电连接一条所述位线、另一端同时电连接两个所述存取晶体管，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于相邻两个所述有源区内。本发明既保证了对存储器进行编程时所需的大驱动电流，同时又提高了存储单元的存储
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823656 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 20201
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