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一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括沿第一方向排布的第一区和第二区；位于衬底上沿第二方向延伸的沟道结构；位于衬底上的栅极结构；位于第一栅极结构上的导电结构，导电结构内具有第一开口，第一开口位于第一区和第二区的界线处；位于第一栅极结构内的隔离开口，第一开口暴露出隔离开口；位于第一开口和隔离开口内的第一隔离结构。通过位于第一栅极结构上形成导电结构，导电结构具有第一开口，利用导电结构进行自对准刻蚀第一栅极结构，保证最终形成的导电结构能够与切断后的第一栅极结构精准连接，进而避免了额外增加栅极
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823693 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202010570983.8 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日
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