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本发明公开了一种SiC肖特基功率二极管，包括N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC隔离层以及厚度为4～6μm的N型4H‑SiC外延层；该外延层中部刻有倒梯形阳极凹槽和隔离槽，两端顶部向内避让形成隔离区；隔离区和隔离槽填满绝缘介质形成电流疏导结构；外延层具有N+注入区和P+注入保护区；还包括：阴极欧姆接触金属层覆盖在N+注入区上；第一钝化层在P+注入保护区上；第二钝化层在阳极凹槽底部；阳极肖特基接触金属层覆盖第一钝化层部分表面、阳极凹槽的表面以及第二钝化层的表面；第三钝化层覆盖第一钝化层的剩余表面
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823698 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111005103.3 H01L 21/04 (2006.01)
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