存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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本发明能够提供存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备。写入方法包括：向与隧道结相连的底电极中通入处于第一预设范围内的单向电流，以写入第一数据至隧道结；或向与隧道结相连的底电极中通入处于第二预设范围内的单向电流，以写入第二数据至隧道结。其中，第二预设范围内的电流绝对值大于第一预设范围，第一、第二数据相反。读出方法包括：向隧道结中施加预设读取电压，以读出已写入于隧道结中存储的数据。存储器电路包括底电极、隧道结、第一开关器件、第二开关器件、位线、源线及读线。本发明通过控制单向电流绝对值的大

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113744776 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110864849.3 (22)申请日 2021.07.29 (71)申请人中国科学院微电子研究所