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2023-07-02 发布于四川
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本申请提供的一种IGBT器件，包括位于n型漂移区(21)顶部的p型体区(22)，位于所述p型体区(22)内的第一n型发射极区(23)；位于所述p型体区(22)之上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层(24)以及位于所述第一栅介质层(24)之上的第一栅极(26)和n型浮栅(25)，且在横向上，所述n型浮栅(25)位于靠近所述n型漂移区(21)的一侧，所述第一栅极(26)位于靠近所述第一n型发射极区(23)的一侧并延伸至所述n型浮栅(25)之上，介于所述n型浮栅(25)和所述第一栅极(2

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113748520 B (45)授权公告日 2022.05.31 (21)申请号 201980091300.6 (72)发明人龚轶　王睿　刘伟　袁愿林　王鑫　 (22)申请日 2019.11