一种用于存储器芯片封装的键合丝及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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一种用于存储器芯片封装的键合丝及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种用于存储器芯片封装的键合丝及其制备方法，所述键合丝结构包括铜芯，所述铜芯外表面自下而上依次电镀有钯层、金层；所述键合丝成分按重量百分比计包括：97.17‑98.95%铜、0.65‑1.73%钯、0.35‑1.05%金、19.4‑39.6ppm的铂，余量为不可避免杂质；其中，铜芯成分按重量百分比计包括：铜99.99%、钯5‑15ppm、金10‑30ppm、铂20‑40ppm，余量为不可避免杂质。所述方法包括：配料、熔铸、粗拉、中间退火、微拉、表面处理、电镀金、钯、退火。本发明提供的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725188 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111296849.4 C22F 1/02 (2006.01)