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一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，基底上具有若干分立排布的沟道柱，沟道柱包括真沟道柱与伪沟道柱；在基底表面、沟道柱的侧壁和顶部上形成牺牲层；在牺牲层上形成图形化层，暴露出伪沟道柱侧壁和顶部的牺牲层以及位于真沟道柱与伪沟道柱之间的基底上的部分牺牲层；形成图形化层之后，去除暴露出的牺牲层以及位于牺牲层底部的伪沟道柱，至暴露出基底表面。本发明的形成方法可以提升沟道栅极环绕结构鳍式场效应晶体管的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745113 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 20201
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