一种3DNADA闪存垂直通道的超薄电镜样品及其制样方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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一种3DNADA闪存垂直通道的超薄电镜样品及其制样方法.pdf

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本发明提供一种3DNADA闪存垂直通道的超薄电镜样品及其制样方法，所述制样方法包括：所述3DNADA闪存垂直通道向第一方向倾斜至与水平面呈A角度后，再经聚焦离子束进行切割，得到第一样品；所述第一样品向第二方向倾斜至与水平面呈B角度后，再经聚焦离子束进行抛光，得到超薄电镜样品；所述第一方向和第二方向属于平行且相反的方向。所述超薄电镜样品的厚度≤30nm，可以消除刀痕，符合电镜样品的需求。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116337903 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310381406.8 H10B 41/35 (2023.01)