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本发明公开一种基于自对准工艺的Micro‑LED器件制作方法,包括:步骤一,基于光滑面板制备行列电极层和绝缘保护层,并在绝缘保护层开设Hole孔层,完成显示背板的制备;步骤二,基于自对准工艺在显示背板上制备Micro‑LED晶粒结构,形成Micro‑LED样片;步骤三,对所述Micro‑LED样片依次进行AL层碱腐蚀、钝化绝缘层蒸镀、帽层酸脱落操作;步骤四,对帽层脱落后的样片进行表面开孔至露出列电极层,后制备电流扩展层于样片表面,最后在Micro‑LED晶粒结构侧壁及结构间溅射金属反光层,完成M
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344708 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310576969.2 H01L 27/15 (2006.01) (22)申请日 2023.05.
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