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本发明提供了一种真空紫外光辅助雾化气相沉积装置及雾化气相沉积方法。所述反应腔室开设有气体入口和气体出口，所述反应腔室通过所述气体入口连接有雾化装置；所述反应腔室的顶部设置有真空紫外透过窗，所述真空紫外透过窗远离所述反应腔室的一侧设置有真空紫外光源，所述真空紫外光源的发射端朝向所述真空紫外透过窗；所述反应腔室的底部设置有样品台，所述样品台的顶面位于所述反应腔室的内腔中。本发明将真空紫外光源与雾化气相沉积装置结合，以实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积，能大大提高沉积薄膜的质量。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116334584 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310552763.6 (22)申请日 2023.05.17 (71)申请人 青禾晶元 （天津）半导体材料有限公
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