一种适用于芯片堆栈封装局部减薄基板厚度的试片制备方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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一种适用于芯片堆栈封装局部减薄基板厚度的试片制备方法.pdf

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本发明提供一种适用于芯片堆栈封装局部减薄基板厚度的试片制备方法，该方法包括以下步骤：提供一先进芯片堆栈封装的试片；确定所述试片内的欲分析点位置；所述试片上方设置有镭射仪，所述镭射仪对所述试片进行镭射打薄，直至所述试片的厚度达到预设的厚度；使用分析工具对经过打薄后的所述试片进行试片分析检测，判断打薄后的厚度是否能够支持所述试片进行分析，通过镭射的方式对试片进行打薄，避免了人工研磨产生的损坏的情况，提高了试片的研磨成功率，降低了试片分析的成本。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116337577 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310476993.9 (22)申请日 2023.04.28 (71)申请人南京泛铨电子科技有限公司地址