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本发明提供了一种具有复合超晶格电子阻挡层的LED芯片及制备方法,复合超晶格电子阻挡层是由AlN层、AlxGa1‑xN层、AlyIn1‑yGaN层、InzGa1‑zN层和MgN层循环交替生长而成的周期性结构,AlN层减少电子阻挡层及P型半导体层与多量子阱层的晶格差异,减小因晶格失配带来的电极化效应,提供较高的势垒能级有效阻挡电子迁移到P型半导体层,提高空穴的注入效率;AlN层和MgN层之间其它三层的异质结界面处可以吸引电子形成浓度较高的面载流子与多量子阱层中的电子互相排斥将电子限制在量子阱中;Mg
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344697 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310382707.2 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2023.04.
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