半导体器件及芯片的制造方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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半导体器件及芯片的制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及芯片的制造方法，所述半导体器件包括：一晶圆，具有多个曝光区以及连接相邻所述曝光区之间的第一切割道区，所述曝光区具有多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的第二切割道区；多个测试结构，位于所述第一切割道区和/或所述曝光区的拐角和中心处。本发明的技术方案能够有效提高每片晶圆切割形成的芯片的数量的同时，还能保证芯片的质量，从而提高生产的芯片的市场竞争力。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344447 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310465648.5 (22)申请日 2023.04.26 (71)申请人上海华力微电子有限公司地址 2