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本申请公开了一种浅沟槽隔离台阶高度控制方法，属于半导体制造领域，该方法一方面通过先对有源区域的二氧化硅进行刻蚀，再去除浅沟槽隔离区域的二氧化硅，代替现有技术中对有源区域和浅沟槽隔离区域的二氧化硅整体进行化学机械研磨，可以避免化学机械研磨后出现因有源区域和浅沟槽隔离区域材质不一样而产生的碟型凹陷；另一方面，采用气相化学反应‑产物去除‑气相化学反应‑产物去除的多段刻蚀方式调节浅沟槽隔离的台阶高度，可以减小不同区域由于开口大小差异带来的蚀刻速率差异影响，从而可以保证浅沟槽隔离台阶高度的一致性。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314003 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310300485.5 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 上海集成电路装备材料产业创新中
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