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本发明涉及一种形成外延层的方法，包含以下步骤：S1、提供衬底；将所述衬底置于外延设备的腔体内，所述外延设备包括腔体、第一进气件、排气口和内、外灯组，所述内、外灯组用于给衬底加热，所述第一进气件和排气口分别置于腔体相对的两侧；S2、通过第一进气件向腔体内沿第一方向通入工艺气体，执行外延工艺；其中，所述工艺气体包括第一硅源和不同于第一硅源的第二硅源。本发明通过控制两种硅源工艺气体的流量，以及优化内、外灯组功率占比，提高了硅外延层的均匀性。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288696 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310296278.7 (22)申请日 2023.03.22 (71)申请人 江苏天芯微半导体设备有限公司 地址
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