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本发明公开了一种垂直结构全彩Micro‑LED芯片及其制备方法。Micro‑LED芯片是一种将蓝、绿光InGaN/GaN基Micro‑LED与红光量子点相结合的三层结构，从下到上，分别为绿光Micro‑LED阵列，蓝光Micro‑LED阵列，红光量子点薄膜阵列。该结构利用YIGp型电极实现在同一n‑GaN层上对单独的Micro‑LED芯片进行开关调控，避免了电流的串扰；无需对n‑GaN层进行刻蚀，避免了刻蚀对晶体质量的影响，提高芯片的发光效率。相较于Micro‑LED显示芯片的巨量转移、排列及
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314162 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310291139.5 (22)申请日 2023.03.21 (71)申请人 武汉大学 地址 430072
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