一种碳化硅半导体材料及其制备工艺.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种碳化硅半导体材料及其制备工艺.pdf

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本发明提供一种碳化硅半导体材料及其制备工艺，属于碳化硅半导体技术领域，该碳化硅半导体材料以重量计包括碳化硅微粉、石英砂、煤焦、木屑和钛；本发明中，该碳化硅半导体材料含有太空金属钛，使钛和碳化硅充分耦合，即能保证碳化硅半导体材料的轻量化，且保证碳化硅半导体材料的结构强度，避免使用时碳化硅半导体材料出现碰撞损坏的现象，提高碳化硅半导体材料的使用寿命；该碳化硅半导体材料的制备工艺中，涂层为富硅抗反射涂层，193nm波长下n=1.63～1.65，k=0.15～0.22，满足光刻工艺要求，硅含量大于40w

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116283301 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310289997.6 (22)申请日 2023.03.23 (71)申请人长春工程学院地址 130012