一种碳化硅单晶的生长方法.pdfVIP

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2023-06-25 发布于四川
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一种碳化硅单晶的生长方法.pdf

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本申请提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：在坩埚原料区的顶部区域放置第一碳化硅原料，在坩埚原料区的侧壁区域放置第二碳化硅原料，在坩埚原料区的底部区域放置第三碳化硅原料，在坩埚原料区的中心区域放置第四碳化硅原料，在籽晶的作用下，加热生长得到碳化硅单晶；所述第二碳化硅原料、第三碳化硅原料、第四碳化硅原料和第一碳化硅原料的硅碳比依次降低。本发明在坩埚原料区的不同区域设置具有不同硅碳比的碳化硅原料，获得了高质量的碳化硅单晶，结晶质量一致性好，包裹物密度小，该方法操作简单，有利于工业化生产。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288672 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310150969.6 (22)申请日 2023.02.22 (71)申请人北京天科合达半导