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2023-06-22 发布于四川
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一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供能够缩短从半导体主体中的与源层相接触的侧壁部到源层之上的栅层的距离的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的栅层(80)被设置在源层(SL)与层叠体(100)之间，比电极层(70)1层的厚度厚。半导体主体(20)具有在层叠体(100)内、栅层(80)内以及半导体层(13)内在层叠体(100)的层叠方向上延伸且与半导体层(13)相接触的侧壁部(20a)。半导体主体(20)不与电极层(70)以及栅层(80)相接触。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394225 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110651129.9 H01L 27/11548 (2017.01)