一种用于提高SRAM读电流的结构.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种用于提高SRAM读电流的结构.pdf

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本发明提供一种用于提高SRAM读电流的结构，分别包括第一至第三Fin结构的第一、第二读取上拉管和第一、第二读取通过门；第一栅极置于第一读取上拉管的第一至第三Fin结构上；第二栅极置于第二读取上拉管的第一至第三Fin结构上；第三栅极置于第一读取通过门的第一至第三Fin结构上；第四栅极置于第二读取通过门的第一至第三Fin结构上；第三栅极和第四栅极通过第一栅极金属连接；第二读取上拉管的第一至第三Fin结构的另一端通过第三金属条形结构与第二读取通过门的第一至第三Fin结构的一端连接。本发明的RPD和RP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113393880 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110597287.0 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司