半导体器件及其制作方法、芯片.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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半导体器件及其制作方法、芯片.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片，半导体器件包括：第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底、位于第一衬底上的第一介质层和嵌设在第一介质层中的导电层，第一衬底靠近第一介质层的一侧形成有沟槽隔离层，导电层形成在沟槽隔离层上；硅通孔，硅通孔贯穿第一衬底和沟槽隔离层并暴露出导电层；互连层，互连层填充在硅通孔中并与导电层电连接。本发明的第一晶圆的导电层形成在沟槽隔离层上，如此一来，硅通孔刻蚀过程中产生的大量等离子体被沟槽隔离层阻挡，无法通过导电层进入到第一晶圆，从而减少或避免了硅通孔刻蚀过程引起半导体器件

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394185 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110649504.6 (22)申请日 2021.06.10 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司