KSI超声波扫描显微镜在半导体行业的应用.pptxVIP

KSI超声波扫描显微镜在半导体行业的应用第1页/共74页第2页/共74页Application examples for semiconductors在半导体领域的应用举例检测半导体材料内部多种缺陷Defects 缺陷 — Cracks 裂纹 — Delaminations 分层 — Inclusion 夹杂物 — Die Attach 附着物 — Voids 空隙Contrast causing properties 通过图象对比度可以判别 — Differences in the acoustic impedances (reflection of the ultrasonic beam) 材料内部声阻抗差异（通过反射波幅度） — Defect shape and size 确定缺陷形状和尺寸 — Defect orientation 确定缺陷方位科视达第3页/共74页半导体领域常见的应用范围 Flip Chips Chip Scale Packages (CSP) Plastic Ball Grid Arrays Metal Ball Grid Arrays Plastic Encapsulated Integrated Circuits Hybrids, Power Devices and Multi-Chip Modules Automotive Applications Bonded and Bumped Wafers Ceramic Chip Capacitors Ceramics Printed Circuit Boards Miscellaneous Applications 科视达第4页/共74页半导体领域常见检测项目使用的换能器频率范围样品应用 换能器 T/X Receiver 10 MHzPLCC, QFP, PQFP 15-50 MHzHybrids, Power Pak 15-50 MHzBGA 50-100 MHz Capacitors 75-100 MHzTSOP 75-100 MHzFlip Chip Underfill 100-230 MHzFlip Chip Interconnect 230-400 MHz Bonded Wafer 100-230 MHz Bonded Wafer 230-400 MHz 科视达第5页/共74页半导体领域检测器件的检查项目图例(一)科视达第6页/共74页半导体领域检测器件的检查项目图例(二)科视达第7页/共74页半导体领域检测器件的检查项目图例(三)科视达第8页/共74页半导体领域检测器件的检查项目图例(四)科视达第9页/共74页半导体领域检测器件的检查项目图例(五)科视达第10页/共74页Defects in Wafer晶片的缺陷Package Type：SOI, Silicon Nitride, Silicon Carbide, coated wafers, Bare silicon or GaAs wafers, Printed wafers检查的失效类型：Non-Bonded wafersMicro-cracksBump integrityContamination (excess flux)Delaminations 科视达第11页/共74页Wafer涂层上的分层缺陷（一）第一层 (110ns深度)第二层 (330ns深度)第三层 (550ns深度)数据门限设置在不同深度的三层。在每层中用箭头标示的白色亮的区域是分层缺陷。右下角的图片是第三层的局域部分放大的精细图像。扫描尺寸：123mm × 105 mm科视达第12页/共74页Wafer涂层上的分层缺陷（二）C-Scan图象由于分层位置声阻抗的差别，超声波将会在分层界面处反射，因此超声波扫描图象中白色区域表示分层缺陷的存在样品分层缺陷的位置Sample2a_50ksi.bmpSample2a_50ksi.bmp科视达第13页/共74页Wafer涂层上的分层缺陷（二）着色功能可增加对比度样品一分层缺陷分层缺陷样品二科视达第14页/共74页印制后Wafer上的分层缺陷（一）所选区域的放大图象 单个晶圆的分层 在无分层晶圆上可以清晰地看到接触点 在Wafer边缘上有大面积的分层缺陷(用绿色箭头表示) 在晶片中间单个晶圆的分层缺陷（用蓝色箭头表示）科视达第15页/共74页印制后Wafer上的分层缺陷（二）分层缺陷分层缺陷无缺陷结构 分层缺陷 检测到的细小分层主要是位于Die下面的分层 扫描面积: 123mm × 105 mm分层缺陷分层缺陷科视达第16页/共74