具有复合层结构的高压HEMT器件.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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具有复合层结构的高压HEMT器件.pdf

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本发明提供一种具有复合层结构的高压HEMT器件，包括：衬底、设置在衬底上的非故意掺杂的AlxGa1‑xN层，设置在AlxGa1‑xN层上的非故意掺杂的GaN层、设置在GaN层表面上非故意掺杂的梳指状AlyGa1‑yN层，梳指状AlyGa1‑yN层为从漏区向源区方向延伸的平行的AlyGa1‑yN条状区域，这些条状区域在漏区及漂移区邻近漏区的部分连为一体，梳指状AlyGa1‑yN层表面上设有源极、漏极和栅极；本发明提出的HEMT器件在保证高击穿电压的同时实现了较小的寄生电容，适用于对于输出功率和工作

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394283 B (45)授权公告日 2023.04.14 (21)申请号 202110709031.4 H01L 21/335 (2006.01) (22)申