半导体元件及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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半导体元件及其形成方法.pdf

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一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括基材、半导体鳍片、源极/漏极结构、第一埋入式电源线、接触、第一基材通孔和第二基材通孔。基材具有井区，此井区从基材的前表面延伸到基材中。半导体鳍片位于井区上。源极/漏极结构在半导体鳍片上。第一埋入式电源线电耦合到第一半导体鳍片上的源极/漏极结构。第一埋入式电源线具有沿着第一半导体鳍片的长度方向延伸的长度和在井区内延伸的高度。第一基材通孔从基材的背表面穿过基材延伸到第一埋入式电源线。第二基材通孔从基材的背表面延伸到井区。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394218 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110631139.6 H01L 27/02 (2006.01)