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本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种硅基负极材料及其制备方法，以及一种负极片，一种二次电池。其中，硅基负极材料包括硅基内核，包覆在所述硅基内核表面的离子导体层，和包覆在所述离子导体层背离所述硅基内核表面的电子导体层，所述电子导体层包括一维导体材料和/或二维导体材料。本发明硅基负极材料中，包覆在硅基内核表面的离子导体层，离子传输速率快，可显著提升内核硅基材料的锂离子等离子脱嵌速率；包覆在外表面的电子导体层包含有一维和/或二维导体材料，可以提高硅基负极材料表面的电子传输迁移效率，同时对硅基材料起到缠
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410442 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110642153.6 H01M 10/42 (2006.01) (22)申请日 2
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