包括不连续互连区段的磁阻元件和包括多个磁阻元件的磁存储器.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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包括不连续互连区段的磁阻元件和包括多个磁阻元件的磁存储器.pdf

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包括不连续互连区段的磁阻元件和包括多个磁阻元件的磁存储器。本公开涉及一种用于制造磁阻元件的方法，该磁阻元件包括磁性隧道结MTJ，该磁性隧道结MTJ包括隧道势垒层、第一铁磁层和第二铁磁层；写入电流层；以及互连层，其被配置用于向写入电流层供应写入电流。在互连层中提供间隙，使得互连层包括沿着层平面延伸并串联连接写入电流层的两个不连续互连区段。该方法包括：沉积互连层（50）、写入电流层（30）、第二铁磁层（23）、隧道势垒层（22）和第一铁磁层（21）；在互连层（50）中形成间隙（34）；用间隙材料填充

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410380 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110285829.0 (22)申请日 2021.03.17 (30)优先权数据