三维存储器及三维存储器制作方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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三维存储器及三维存储器制作方法.pdf

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本发明属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维存储器及三维存储器制作方法。本发明旨在解决相关技术中公共源极与各导电层之间容易发生漏电的问题。本发明的三维存储器中，在堆叠结构和基底之间设置连接层和导通层，连接层与导通层接合，半导体结构依次通过连接层和导通层与外部设备连接，栅极缝内填充有绝缘体；与在栅极缝内设置用于连接半导体结构的公共源极相比，无需设置公共源极，避免导电层与公共源极之间发生漏电，提高了三维存储器的性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394226 B (45)授权公告日 2022.06.28 (21)申请号 202110651036.6 (51)Int.Cl.