半导体结构及其形成方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.52万字
约 15页
2023-06-22 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构及其形成方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；多个存储区，多个所述存储区在衬底上阵列排布，用于形成存储器件；多个切割道，每个所述切割道位于相邻两个所述存储区之间；对准标记，位于所述切割道中，形成于所述衬底上，靠近两个所述存储区的中心位置；光刻胶，位于所述存储区和所述切割道上方，覆盖所述对准标记。将对准标记设置在靠近相邻两个存储区中间的位置，位于该位置上方的光刻胶较为平整，从而使得穿过光刻胶测得的对准标记的测量信号的强度较高，套刻精度提升，测量误差小，晶圆合格率高，成本降低。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113391529 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110665583.X H01L 23/544 (2006.01)