一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法.pdfVIP

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2023-06-20 发布于四川
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一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法.pdf

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本发明公开了一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，涉及芯片电镀技术领域。一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其合成步骤如下：以钛棒A作为阳极，以半导体芯片B作为阴极，将钛棒A和半导体芯片B依次放入电解槽中，用抗蚀剂掩蔽半导体芯片B中无需电镀的部分，向电解槽中缓慢加入电镀液C并搅拌均匀，调节电镀液C的PH值为3.0‑7.0，开始供电，开启升温系统调节电镀液C升高到一定温度，向电解槽中依次加入PH值缓冲剂、光亮剂和镀层结晶调整剂。本发明可以获得合金组成质量分数波动度较小的合金镀

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113308718 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110498130.2 (22)申请日 2021.05.08 (71)申请人河北