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双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法.pdfVIP

双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法.pdf

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    本申请实施例提供一种双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法，所述双栅极晶体管的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有多个晶体管形成区域，每一所述晶体管形成区域具有一晶体管柱，每一所述晶体管柱在第一方向上具有相对裸露的第一侧壁和第二侧壁；分别在所述第一侧壁和所述第二侧壁上依次形成栅极氧化层和栅极；在所述晶体管柱的第一端，形成源极；在所述晶体管柱的第二端，形成漏极，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述晶体管柱在第二方向上相对的两端，所述第二方向为所述晶圆的厚度方向，所述第二方向垂直于所述

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314421 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110423143.3 H01L 21/8242 (2006.01) (22)申请日

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