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2023-06-20 发布于四川
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一种存储器器件，包括第一多层堆叠、沟道层、电荷存储层、第一导电柱以及第二导电柱。第一多层堆叠设置在衬底上且包括交替堆叠的多个第一导电层与多个第一介电层。沟道层穿过多个第一导电层及多个第一介电层，其中沟道层包括彼此隔开的第一沟道部与第二沟道部。电荷存储层设置在多个第一导电层与沟道层之间。第一导电柱设置在第一沟道部的一个端部与第二沟道部的一个端部之间。第二导电柱设置在第一沟道部的另一端部与第二沟道部的另一端部之间。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113327929 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110606344.7 (51)Int.Cl.