功率晶体管结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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功率晶体管结构及其制造方法.pdf

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本申请涉及一种功率晶体管结构及其制造方法，其结构包括：漏极衬底，具有由漏极外延层提供的处理表面与对应的背面，处理表面并排形成有若干第一沟槽，第一沟槽内设置有栅极；有源层，形成于漏极外延层中；内介电层，分断式形成于栅极上的第一沟槽内，使栅极为嵌埋结构并电绝缘隔离栅极与源极层；第一沟槽的开口处形成有第二沟槽，以形成第一沟槽开口两侧的凹陷区以及第二沟槽之间的台面区，凹陷区内在内介电层两侧形成重掺杂部，台面区形成重掺杂隔离层；源极层，设置于有源层的台面区上，并透过凹陷区导接重掺杂部；有源层在重掺杂部下方

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241374 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110548533.3 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日