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2023-06-16 发布于四川
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本发明公开了一种IGBT器件，由多个形成原胞并联而成，各原胞都形成在晶圆上的有源区中，各原胞的栅极结构采用沟槽栅，沟槽栅包括形成于栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于栅极沟槽中的多晶硅栅；多晶硅栅完全填充栅极沟槽时会对晶圆产生对应的第一应力；在俯视面上，有源区分成两个以上的区域块，各区域块中的栅极沟槽呈条形结构且平行排列，相邻两个区域块中的栅极沟槽的条形结构不平行而具有夹角，使相邻两个区域块中的多晶硅栅对晶圆的第一应力的方向不同而使晶圆所受到的各多晶硅栅产生的合应力减少或消失。本发明能提高同一片晶

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257905 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 20201