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本发明公开了一种从废LED封装中回收稀贵金属元素的方法。其包括以下步骤:A)对废LED封装进行“热处理‑研磨‑筛分”预处理,使得LED中有价金属获得有效解离与初步富集,其中Cu、Fe、Ni、Zn等金属高浓度富集于大粒径物料中,Au、Ag、Ga等稀贵金属主要富集于小粒径物料中;B)将稀贵金属富集体进行氧化焙烧;C)将二次氧化焙烧产物置于“HCl+CH3COOH”混合酸体系中,进行稀贵金属Au、Ag、Ga的浸出回收。本发明能实现LED封装内Cu、Fe、Ni、Zn等金属的高浓度富集,同时实现稀贵金属元
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113151667 B (45)授权公告日 2022.10.14 (21)申请号 202110416758.3 C22B 7/00 (2006.01)
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