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本发明公开了一种二极管的制造方法，二极管的横向接触的第一掺杂区和第二掺杂区的形成步骤包括：步骤一、在半导体衬底表面上形成第二导电类型的第三掺杂区；步骤二、进行第一导电类型杂质注入在第三掺杂区中形成第一注入层；步骤三、对第一掺杂区的形成区域中的所述第一注入层的杂质进行选择性退火激活，第一掺杂区的形成区域外的所述第一注入层的杂质未被退火激活；第一掺杂区中，激活后的第一注入层的杂质浓度大于第三掺杂区的杂质浓度并形成净掺杂为第一导电类型掺杂的所述第一掺杂区；第二掺杂区中包括第一注入层的未被激活杂质，第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161426 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110459130.1 (22)申请日 2021.04.27 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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