一种斜腔芯片结构.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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一种斜腔芯片结构.pdf

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本申请实施例提供一种斜腔芯片结构，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，所述光源，用于产生光信号；所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。本申请实施例提供的斜腔芯片结构能够降低经所述斜腔芯片结构出射的光信号的偏振度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113161463 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110226780.1 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2021.03