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本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种GaN基ESD防护电路。与常规的由二极管组组成的ESD防护电路不同的是，本发明基于增强型p‑GaNHEMT器件，GaN基触发二极管组，限流电阻组成ESD防护电路。本发明利用增强型p‑GaNHEMT器件的栅极与源极同电位时，能够反向导通的能力，从而实现二极管组防护电路所不具备的双向防护功能。同时，在相同的防护等级下，该发明与二极管组防护电路相比能够降低漏电流，从而降低由漏电流引起的功耗。另外，由于该发明制备过程与增强型p‑GaNHEM
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161345 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110265205.2 (22)申请日 2021.03.11 (71)申请人 电子科技大学 地址
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