一种IGBT器件退饱和检测保护电路控制方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种IGBT器件退饱和检测保护电路控制方法.pdf

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本发明涉及一种DPB逆变器中SiC器件控制退饱和检测保护电路的方法；该方法包括以下步骤：通过采样、滤波、比较电路后将逆变器输出电压电流信号由逻辑电路进行快速判断，确定输出电压电流的方向；根据不同方向的电压电流组合对其输出状态进行分类，分别为Ⅰ区(v＞0，i＞0)、Ⅱ区(v＞0，i＜0)、Ⅲ区(v＜0，i＜0)及Ⅳ区(v＜0，i＞0)；再通过在I区和III区SiC开关器件计数时钟产生的中断程序，在SiC器件从关断到开通的过程中，向外围驱动电路输出信号以抑制退饱和检测功能；该方法避免了在DPB逆变器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113131511 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201