半导体器件及制造方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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半导体器件及制造方法.pdf

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本公开涉及半导体器件及制造方法。一种方法，包括：形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍。隔离区域延伸到半导体衬底中。该方法还包括：蚀刻半导体鳍的一部分以形成沟槽；用第一电介质材料填充沟槽，其中，第一电介质材料具有第一带隙；以及执行凹陷工艺以使第一电介质材料凹陷。在隔离区域的相对部分之间形成凹槽。用第二电介质材料填充凹槽。第一电介质材料和第二电介质材料组合形成附加隔离区域。第二电介质材料具有小于第一带隙的第二带隙。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140507 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202011323234.1 (22)申请日 2020.11.23 (30)优先权数据 63/017,03