一种透明多值非易失阻变存储单元及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种透明多值非易失阻变存储单元及其制备方法.pdf

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一种透明多值非易失阻变存储单元及其制备方法，属于半导体固态存储器技术领域。存储单元由底电极、铁电单晶层、阻变层和顶电极所构成；底电极制备在铁电单晶层的下表面，阻变层制备在铁电单晶层的上表面；阻变层上制备有两个电极构成的顶电极。两个顶电极作为电阻状态的读取电极，其中一个顶电极与底电极一起构成了电阻状态的写入电极。组成存储单元的各个部分皆选用透明的材料。该存储单元具有结构简单、稳定性强、透明、非易失性以及可以工作在室温的特点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113536 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110371967.0 (22)申请日 2021.04.07 (71)申请人中国石油大学（华东）