DL_T 2310-2021CN 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件.docx

ICS 29.045 CCS H 83 中华人民共和国电力行业标准 DL/T 2310—2021 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片 使用条件 Acceptance specification for silicon carbide epitaxial wafer of high voltage power devices in the grid system 2021 - 04 - 26发布 2021-10-26实施 国家能源局 发布 I DL/T 2310—2021 目 次 前言 Ⅱ 1 范 围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 技术要求 2 5 测试方法 5 6 包装、标志、运输、储存 6 Ⅱ DL/T 2310—2021 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020 《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本标准的某些内容可能涉及专利。本标准的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件规定了电力系统高压功率器件用碳化硅外延产品的各项技术指标。 本文件由中国电力企业联合会提出并解释。 本文件由中国电力企业联合会电力系统用电力电子器件标准化技术委员会 (CEC/TC 08)归口。 本文件起草单位：全球能源互联网研究院有限公司、芜湖启迪半导体有限公司、中国电子科技集 团公司第五十五研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、国 网经济技术研究院有限公司、国网浙江省电力公司。 本文件主要起草人：钮应喜、杨霏、李赟、张新河、冯溢、孙国胜、陈志霞、王翼、石岩、 杨勇。 本文件为首次发布。 本文件在执行过程中的意见或建议反馈至中国电力企业联合会标准化管理中心(北京市白广路二 条一号，100761)。 1 DL/T 2310—2021 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件 1 范围 本文件规定了电力系统高压功率器件用碳化硅外延材料的各项技术指标。 本文件适用于高电压功率器件应用的碳化硅外延材料，适用于电力系统高压功率器件应用的，直 径为100mm 和150mm 的碳化硅外延材料。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适 用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T30656 碳化硅单晶抛光片 GB/T30866 碳化硅单晶片直径测试方法 GB/T32278 碳化硅单晶片平整度测试方法 IEC 63068-1:2019 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷非破坏性检查判据 第 1 部 分：缺陷分类 (Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices-Part 1; Classification of defects) IEC 63068-2:2019 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷非破坏性检查判据 第 2 部 分：缺陷的光学检查方法 (Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2; Test method for defects using optical inspection) 3 术语和定义 GB/T14264、IEC 63068-1:2019界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 掉落物 downfall 一种小颗粒物， 一般为从生长室内壁上掉落下来的3C-SiC 颗粒，外延生长过程中被外延层包裹， 通常会以颗粒物为起点，诱发三角形(3.2)缺陷。 [来源：IEC 63068-1:2019,4.2.12] 3.2 三角形 triangle 呈现三角形形状，含有两条及以上的边线，具有方向性，第三条边与主参考边几近成90°。三角形 头部有时有明显的小三角形凹痕，内含3C-SiC 晶型层。 [来源： IEC 63068-1:2019,4.2.11] 3.3 胡萝卜 carrot 呈胡萝卜形状，长条形线状缺陷，其中一端较粗。胡萝卜缺陷具有方向性，与主参考边几近