一种碳化硅肖特基二极管芯片的元胞结构及半导体芯片.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种碳化硅肖特基二极管芯片的元胞结构及半导体芯片.pdf

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本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管芯片的元胞结构，包括：位于衬底之上的漂移区，漂移区表面向下设置有邻接的阱区和JFET区，位于阱区之上与阱区形成欧姆接触的欧姆金属，位于JFET区之上的鳍式结构，设置于所述鳍式结构表面并与所述鳍式结构形成肖特基接触的肖特基金属，以及位于衬底之下的阴极。本发明通过将传统平面JBS结构肖特基二极管有源区的肖特基平面接触改为三维立体结构接触，增加了肖特基接触的面积，扩大了导通电流的路径，降低了芯片的导通电阻，同时有效解决了传统平面JBS结构中反向偏置下肖特基接触中央位置

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130665 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20191