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一种半导体装置及其操作方法，其中半导体装置包括基板、第一及第二堆叠。基板包括由上表面向下延伸的第一掺杂浓度的掺杂区。第一堆叠设置于上表面上，包括交替堆叠的第一绝缘层及第一导电层、第一通道层、第一存储层以及第一导电连接件。第一导电层配置为接收第一电压。第一导电连接件设置于第一通道层上，具有第二掺杂浓度。设置于第一堆叠上的第二堆叠包括交替堆叠的第二绝缘层及第二导电层、第二通道层、第二存储层以及第二导电连接件。第二导电层配置为接收第二电压。第二导电连接件设置于第二通道层上，配置为接收擦除电压。第一导电
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130507 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010073984.1 (22)申请日 2020.01.22 (30)优先权数据
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